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2017年10月1日 住友化学株式会社の化合物半導体材料事業を当社へ統合しました。  New !
2017年9月5-8日 2017年 第78回 応用物理学会秋季学術講演会@福岡にて発表しました。  New !
演題:
  • 5p-C17-16   自立GaN基板上p+-nダイオードのエピ層表面モフォロジーによる不均一な電流密度分布
  • 5p-C17-17   5 kV耐圧を有する自立GaN基板上p-n接合ダイオード
  • 6a-A301-1   タイリング法による接合GaN結晶のウェハプロセス実証
  • 6p-A301-4   高純度GaNエピタキシャル膜のHVPE成長
  • 7a-S22-1     赤外分光を用いた自立GaN基板上GaNホモエピタキシャル層の非破壊膜厚測定
  • 7a-S22-3     VAS法による4‐6” GaN自立基板の製作
  • 8a-A504-1   KNN圧電薄膜において上部電極密着層が誘電特性およびHALT寿命に与える影響
  • 関連サイト: http://meeting.jsap.or.jp/
    2017年7月21日 独自のHVPE技術によりGaN系縦型デバイスのドリフト層に適した高純度GaNエピ層を実現しました。
    エピ層厚さ20-30µm、残留Si濃度5 × 1014cm-3以下、酸素および炭素濃度は検出限界以下。
    関係する論文がJapanese Journal of Applied Physics (JJAP) に掲載され”Spotlights”論文に選ばれました。

    “Hydride-vapor-phase epitaxial growth of highly pure GaN layers with smooth as-grown surfaces on freestanding GaN substrates”,
    Hajime Fujikura, Taichiro Konno, Takehiro Yoshida, and Fumimasa Horikiri,
    Japanese Journal of Applied Physics, Volume 56, Number 8 (2017)

    2017年4月14日 AlNテンプレートの量産装置を導入し、結晶性も改善しました。
    X線ロッキングカーブ半値幅:(0002)~100sec、(10-12)~300sec
    2017年2月20日 伊藤忠プラスチック(株)のオフィスが移転しました。
    2017年2月7日 開発した大口径GaN自立基板に関する論文が公開になりました。
    表題:Development of GaN substrate with a large diameter and small orientation deviation
    関連サイト: http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201600671
    2017年2月1日 環境省の広報誌「エコジン」2017年2・3月号の11ページ *
    当社7インチGaN基板に関する記事が掲載されました。
    GaNデバイスについてより詳しくは次のサイトが参考になります。
    環境省 中央環境審議会地球環境部会長期低炭素ビジョン小委員会(第6回)
    平成28年10月4日 開催 有識者ヒヤリング資料
    大阪大学  森勇介教授
    名古屋大学 天野浩教授
     *: ハイパーリンクにより環境省のホームページにリンクしますが、
       PDFは17MB ありますのでダウンロードには時間がかかります。