企業情報

沿革

1971年 日立電線(株)として化合物半導体の研究開発が本格スタート
1973年 LD用ボート法成長GaAs基板の生産開始
1981年 LEC炉を導入し、引上法GaAs単結晶成長技術の開発スタート
1986年 MOVPE炉を導入し、高周波素子用エピウェハの開発スタート
1989年 衛星放送アンテナ用HEMTエピウェハの量産開始
1994年 携帯電話PA用GaAs-FET、HBTエピウエハの量産開始
1995年 GaN単結晶基板の開発スタート
1999年 高周波素子用GaNエピウエハの開発スタート
携帯電話PA用InGaP-HBTエピウェハの生産開始
GaAs基板、エピ量産の功績によって財団法人 新技術開発財団より第31回市村産業賞を受賞
2000年 AlGaAs系LD用エピウェハの量産開始
Void Assisted Separation法によるGaN基板製造方法を確立
2001年 AlGaInP系LD用エピウェハ量産開始
2003年 LD用GaN基板の生産開始
2005年 携帯電話基地局PA用GaN-HEMTエピウェハの生産開始
2007年 鉛フリー系圧電薄膜(KNN膜)の開発スタート
2008年 高効率HVPE法成長炉を自社開発し、GaN基板の量産本格化
2010年 自社設計開発によるHVPE装置を導入しGaNテンプレートの開発をスタート
2011年 GaN基板開発の功績によって財団法人 新技術開発財団より第43回市村産業賞を受賞
2013年 日立金属(株)と日立電線(株)が経営統合
2014年 KNN膜を用いた3軸角速度センサの開発に成功
2015年 住友化学(株)の関連会社 (株)サイオクスとして事業開始
KNN膜の開発によって米国セラミック協会より「Richard M. Fulrath賞」を受賞
2016年 AlNテンプレートの開発に成功
2017年 住友化学(株)の化合物半導体材料事業を(株)サイオクスへ統合
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